IBM i Samsung kažu da bi njihov novi dizajn čipa mogao da produži trajanje baterije na telefonima i do 7 dana

IBM i Samsung su najavili svoj najnoviji napredak u dizajnu poluprovodnika: novi način vertikalnog slaganja tranzistora na čip (umesto da leže ravno na površini poluprovodnika).

Novi dizajn “Vertical Transport Field Effect Transistors” (VTFET) treba da nasledi trenutnu FinFET tehnologiju koja se koristi za neke od današnjih najnaprednijih čipova i mogla bi da omogući proizvodnju čipova koji su još gušće “načičkani” tranzistorima. U suštini, novi dizajn bi slagao tranzistore vertikalno, omogućavajući struji da teče efikasnije.

Iako smo još uvek daleko od toga da se VTFET dizajn koristi u potrošačkim čipovima, dve kompanije iznele su velike tvrdnje, napominjući da bi VTFET čipovi mogli da ponude dvostruko poboljšanje performansi ili smanjenje upotrebe energije za 85 odsto u poređenju sa trenutnim FinFET dizajnom.

IBM i Samsung takođe navode neke ambiciozne moguće slučajeve upotrebe nove tehnologije, kao što je produžavanje trajanja baterije u telefonima “možda i više od nedelju dana”, za energetski efikasnije rudarenje kriptovaluta, šifrovanje podataka, ali i za kontinuirano širenje Interneta stvari (IoT) i rubnih uređaja sa nižim energetskim potrebama, omogućavajući im da rade u raznovrsnijim okruženjima kao što su okeanske bove, autonomna vozila i svemirske letelice.

IBM je ranije ove godine predstavio svoj prvi 2nm čip, koji, iako je unapređenje, koristi FinFET dizajn. Međutim, VTFET bi trebalo da značajno unapredi ovu tehnologiju, iako će verovatno biti potrebno još vremena pre nego što vidimo rasprostranjenu upotrebu ovih čipova.

(Telegraf.rs)